PicoFemto透射電鏡原位MEMS氣氛加熱測(cè)量系統(tǒng)

澤攸透射電鏡原位MEMS氣氛加熱測(cè)量系統(tǒng)，在透射電子顯微鏡中制造氣氛及高溫環(huán)境，實(shí)現(xiàn)1 Bar & 800 ℃的端觀(guān)測(cè)條件。

澤攸透射電鏡原位MEMS氣氛加熱測(cè)量系統(tǒng)，在透射電子顯微鏡中制造氣氛及高溫環(huán)境，實(shí)現(xiàn)1 Bar & 800 ℃的端觀(guān)測(cè)條件。該系統(tǒng)使研究者可以在原子尺度上實(shí)時(shí)觀(guān)測(cè)催化反應(yīng)、氧化還原反應(yīng)、低維材料生長(zhǎng)/合成以及各類(lèi)腐蝕反應(yīng)，將您的透射電鏡從一臺(tái)靜態(tài)成像工具升級(jí)為一套功能強(qiáng)大的納米實(shí)驗(yàn)室。
       系統(tǒng)組成：

① 原位氣氛環(huán)境樣品桿：由樣品桿主體、氣流通道、四電極加熱模塊和MEMS反應(yīng)微腔組成。樣品被安置于上下兩片MEMS芯片以及配套的O圈組成的密封微腔內(nèi)。
② 真空檢漏系統(tǒng)：由進(jìn)口分子泵組、高真空腔體和高倍顯微鏡組成。用于實(shí)驗(yàn)前驗(yàn)證MEMS反應(yīng)微腔密封情況，確保在TEM中抽真空后不會(huì)有氣體泄漏。
③ MEMS反應(yīng)微腔：由上下兩片MEMS芯片組成，用于搭載實(shí)驗(yàn)樣品。樣品觀(guān)測(cè)區(qū)域覆蓋有高質(zhì)量、高透過(guò)率的氮化硅薄膜窗口，窗口上覆蓋有四電極加熱區(qū)域，樣品搭載在加熱電極上。該MEMS反應(yīng)微腔與外接氣路通道以及加熱模塊高度耦合，從而在TEM中實(shí)現(xiàn)氣氛環(huán)境與高溫環(huán)境準(zhǔn)確可控的原位觀(guān)測(cè)。
④ 氣氛環(huán)境控制箱：由三通道混氣模塊、渦輪真空泵、氣壓控制模塊、氣流控制模塊及配套附件組成。用于在實(shí)驗(yàn)中準(zhǔn)確、穩(wěn)定地控制MEMS反應(yīng)微腔中的氣氛環(huán)境，控制微反應(yīng)腔中的氣壓及氣體流速。
⑤ 高性能PC及配套控制軟件：該系統(tǒng)中的加熱及氣氛環(huán)境均為軟件控制，多種工作模式可選，功能強(qiáng)大，方便易用。
⑥ 溫控儀：用于控制MEMS反應(yīng)微腔中的溫度，四個(gè)電極通道，帶溫度反饋。
⑦ 樣品桿載具、裝樣附件及其他工具。

性能指標(biāo)

透射電鏡指標(biāo)：

● 兼容指*型號(hào)電鏡及極靴；

● 通氣后透射電子顯微鏡分辨率優(yōu)于0.1 nm。

加熱指標(biāo)：

● 溫度范圍：室溫至800 ℃；

● 溫度準(zhǔn)確度：優(yōu)于5% ；

● 溫度穩(wěn)定性：優(yōu)于±0.1 ℃；

● 四電極加熱，帶溫度反饋；

● 軟件控制。

氣體流動(dòng)指標(biāo)：

● 三通道混氣

● 氣壓范圍：0 - 1 Bar；

● 氣壓準(zhǔn)確度：30 mBar；

● 氣體流速： 0.01 - 0.4 ml/min；

● 可通氣體：H2, N2, O2, He, Ar, CO, CO2, CxHy等；

● 軟件控制。

MEMS反應(yīng)微腔指標(biāo)：

● 高質(zhì)量氮化硅膜厚度25 nm；

● 樣品漂移優(yōu)于0.7 nm/min。